徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Nishizono Kazuhiro/Okada Masaya/Kamei Minoru/Kikuta Daigo/[富永 喜久雄]/[大野 泰夫]/[敖 金平]/Metal/Al-doped ZnO ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistor/[Applied Physics Letters]

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EID
82628
EOID
878852
Map
0
LastModified
2017年12月6日(水) 16:38:41
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
敖 金平
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術レター(ショートペーパー)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Nishizono Kazuhiro
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Okada Masaya
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《岡田 政也 (Okada Masaya) @ 工学研究科.博士後期課程 [大学院学生] 2005年4月〜2008年3月》
    《岡田 昌也 (Okada Masaya) @ 工学部 [学部学生] 2005年4月〜2009年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  3. (英) Kamei Minoru
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Kikuta Daigo
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《菊田 大悟 (Kikuta Daigo) @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 2001年4月〜2003年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  5. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 大野 泰夫
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. 敖 金平([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Metal/Al-doped ZnO ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistor

副題 任意
要約 任意

(日) AlGaN/GaN高移動度トランジスタ(HEMT)の電極の低抵抗化を金属電極とAlGaN/GaN間にAl添加ZnOを挿入することで試みた.Al添加ZnOはDCマグネトロンスパッタ法で,Ti/Al/Ni/Auは電子ビーム蒸着法でZnOの上に作製された.ZnOの作製前は試料面はO2プラズマ,HClやNH4OHで処理された.結果は,アニーリングなしの条件で,接触抵抗2.7Ωmmの値を示し,最低の値2.0ΩmmはHCl処理後ZnO膜を作製し,300℃でアニーリングしたときに得られた.

キーワード 推奨
  1. (英) ZnO
  2. (英) ohmic contact
  3. (英) AlGaN/GaN
  4. (英) hogh electron mobility transistor
  5. (英) HEMT
発行所 推奨 American Institute of Physics
誌名 必須 Applied Physics Letters([American Institute of Physics])
(pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)
ISSN 任意 0003-6951
ISSN: 0003-6951 (pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)
Title: Applied physics letters
Title(ISO): Appl Phys Lett
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 84
必須 20
必須 3996 3998
都市 任意 (英) Melville
年月日 必須 2004年 5月 初日
URL 任意
DOI 任意 10.1063/1.1738175    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000221269800014
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意