徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Naoi Hiroyuki/Shaw M Denis/[直井 美貴]/[酒井 士郎]/Collins G/Growth of InAs on GaAs(100) by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition Employing in situ Generated Arsine Radicals/[Journal of Crystal Growth]

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EID
80473
EOID
876377
Map
0
LastModified
2017年11月28日(火) 17:51:27
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
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Write
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Naoi Hiroyuki
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Shaw M Denis
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) 実験,考察

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 酒井 士郎
    役割 任意

    (日) in situ アルシンの効果

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Collins G
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Growth of InAs on GaAs(100) by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition Employing in situ Generated Arsine Radicals

副題 任意
要約 任意

(日) イン·シツで発生したアルシンとTMGを用いたGaをベースにInAs を成長した.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 250
必須 3-4
必須 290 297
都市 任意
年月日 必須 2003年 4月 初日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/S0022-0248(02)02352-7    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000181517900004
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意