著作: [直井 美貴]/Kurai Satoshi/[酒井 士郎]/Yang Tao/[新谷 義廣]/Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD/[Journal of Crystal Growth]
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種別 | 必須 | 学術論文(審査論文) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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言語 | 必須 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
招待 | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
審査 | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
カテゴリ | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
共著種別 | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
学究種別 | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
組織 | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
著者 | 必須 |
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題名 | 必須 |
(英) Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD |
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副題 | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
要約 | 任意 |
(日) フォトルミネッセンス法により,Si基板上に成長したGaAs膜中における転位近くの微視的応力分布を調査した.転位近くに存在する格子変形による圧縮応力が観察された.また,鋭い針により外部応力を印加することにより,転位により生じたフォトルミネッセンス像中の暗点が動き,転位の密度や位置をある程度人為的に操作できることを示した. |
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キーワード | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
発行所 | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
誌名 | 必須 |
Journal of Crystal Growth([Elsevier])
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巻 | 必須 | 145 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
号 | 必須 | 1-4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
頁 | 必須 | 321 325 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
都市 | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
年月日 | 必須 | 1994年 12月 初日 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
URL | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DOI | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMID | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NAID | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
WOS | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Scopus | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
評価値 | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
被引用数 | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
指導教員 | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
備考 | 任意 |