徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [直井 美貴]/Kurai Satoshi/[酒井 士郎]/Yang Tao/[新谷 義廣]/Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD/[Journal of Crystal Growth]

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EID
80465
EOID
215062
Map
0
LastModified
2005年3月8日(火) 13:01:47
Operator
直井 美貴
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
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継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) 計画,実験,考察,記述

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Kurai Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Yang Tao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 新谷 義廣
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD

副題 任意
要約 任意

(日) フォトルミネッセンス法により,Si基板上に成長したGaAs膜中における転位近くの微視的応力分布を調査した.転位近くに存在する格子変形による圧縮応力が観察された.また,鋭い針により外部応力を印加することにより,転位により生じたフォトルミネッセンス像中の暗点が動き,転位の密度や位置をある程度人為的に操作できることを示した.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 145
必須 1-4
必須 321 325
都市 任意
年月日 必須 1994年 12月 初日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意