徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Nishizono Kazuhiro/Okata Masaya/Kamei Minoru/Kikuta Daigo/[敖 金平]/[富永 喜久雄]/[大野 泰夫]/Al-dope ZnO Intermediate Layer for AlGaN/GaN HEMT Ohmic Contact/Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials

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EID
80008
EOID
313790
Map
0
LastModified
2006年11月28日(火) 10:41:33
Operator
高木 真由美
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
敖 金平
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 国際会議
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Nishizono Kazuhiro
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Okata Masaya
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Kamei Minoru
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Kikuta Daigo
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《菊田 大悟 (Kikuta Daigo) @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 2001年4月〜2003年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  5. 敖 金平([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. 大野 泰夫
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Al-dope ZnO Intermediate Layer for AlGaN/GaN HEMT Ohmic Contact

副題 任意
要約 任意
キーワード 推奨
  1. (英) ZnO
  2. (英) HEMT
  3. (英) Ohmic contact
  4. (英) AlGaN/GaN
  5. (英) Al dope
発行所 推奨 応用物理学会
誌名 必須 (英) Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials
ISSN 任意
必須
必須
必須 552 553
都市 必須 東京(Tokyo/[日本国])
年月日 必須 2003年 9月 16日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意