授業概要: 2004/結晶成長学2
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種別 | 必須 | 工学部•昼間 (授業概要) | |||
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入学年度 | 必須 | 西暦 2004年 (平成 16年) | |||
名称 | 必須 |
(英) Science and Technology of Crystal Growth (2) / (日) 結晶成長学2 / (読) けっしょうせいちょうがく
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コース | 必須 | ||||
担当教員 | 必須 | ||||
単位 | 必須 | 2 | |||
目的 | 必須 |
(日) 結晶成長学(1)では,結晶成長の基礎概念や成長機構についての講義であったが,(2)では実際に結晶を作成するときのための基礎的な知識を修得する. |
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概要 | 必須 |
(日) 実際に結晶作成を行なうときのために,結晶育成の基礎概念や,各種キーマテリアルの育成技術について講義し,また育成後の結晶の評価方法についての知識を修得させる.学習·教育目標としては,光技術の専門教育に最も大きく関わっている(B;58%) |
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キーワード | 推奨 | ||||
先行科目 | 推奨 | ||||
関連科目 | 推奨 | ||||
要件 | 任意 |
(日) 結晶成長学(1)を受講を前提としている. |
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注意 | 任意 | ||||
目標 | 必須 |
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計画 | 必須 |
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評価 | 必須 |
(日) 単位の取得:試験80%(中間試験40%,期末試験40%),講義への取り組み状況20%として評価し,全体で60%以上で合格とする. |
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JABEE合格 | 任意 |
(日) 単位合格と同一 |
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JABEE関連 | 任意 |
(日) B |
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対象学生 | 任意 | ||||
教科書 | 必須 |
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参考資料 | 推奨 |
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URL | 任意 | ||||
連絡先 | 推奨 |
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科目コード | 推奨 | ||||
備考 | 任意 |
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