徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [富永 喜久雄]/[日下 一也]/Chong Mufei/[英 崇夫]/[新谷 義廣]/Film Degradation in AlN Preparation by Facing Target System/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)]

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EID
73760
EOID
707234
Map
0
LastModified
2013年8月27日(火) 11:54:13
Operator
三木 ちひろ
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
  2. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
著者 必須
  1. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Chong Mufei
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 新谷 義廣
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Film Degradation in AlN Preparation by Facing Target System

副題 任意
要約 任意

(英) In AlN films prepared by the facing target system, a decrease in degree of c-axis orientation, film coloring and film cracking or peeling from the substrate were observed. This film degradation is thought to be related to insulative films in general. In order to clarify how these phenomena are induced, we prepared samples under various sputtering conditions; i.e., by changing target holders, placing a ground mesh in front of the substrate and using a positively biased electrode. It is confirmed that plasma exposure severely influences c-axis orientation of AlN films. To decrease this influence, it is important that electrons flow adequately into the anode.

(日) 対向ターゲットシステムにより用意したAlN膜には,c軸配向性の悪化,膜の着色,割れ,基板からの剥離が観察された.この膜汚染は一般に絶縁膜に関係すると考えられている.これらの現象を解明するために,我々は種々のスパッタリング条件,すなわち,ターゲットホルダーの改造,基板前方にアースされた網の設置および正のバイアス電極の使用によって試料を準備した.プラズマ露光がAlN膜のc軸配向性に厳密に影響することが確認された.この影響を減少するために電子を適当に陽極へ流すことが重要である.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 33
必須 9B
必須 5235 5239
都市 任意
年月日 必須 1994年 9月 初日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意