徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: Yang X./Nitta S./[永松 謙太郎]/Bae S./Lee H./Liu Y./Pristovsek M./Honda Y./Amano H./Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metal-organic vapor phase epitaxy/[Journal of Crystal Growth]

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EID
358356
EOID
959978
Map
0
LastModified
2019年8月27日(火) 16:47:03
Operator
永松 謙太郎
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
永松 謙太郎
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Write
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
著者 必須
  1. (英) Yang X.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Nitta S.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 永松 謙太郎([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Bae S.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Lee H.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Liu Y.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. (英) Pristovsek M.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. (英) Honda Y.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  9. (英) Amano H.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metal-organic vapor phase epitaxy

副題 任意
要約 任意

(英) Hexagonal boron nitride (h-BN) was directly grown on sapphire substrate using alternating ammonia (NH3) and triethylboron (TEB) supply (pulsed mode) in metalorganic vapor phase epitaxy. The best condition is when just enough NH3 is supplied to fully convert the TEB within one cycle. Excess NH3 caused islands on h-BN film surface while a lack of NH3 does not form h-BN at all. The epitaxial relationship between grown h-BN layer and c-plane sapphire was confirmed to be [0001]h-BN[0001]sapphire and [10-10]h-BN[11-20]sapphire. It is known that, compared to AlN, BN requires higher V/III ratios for good crystallinity, which due to severe gas-phase reactions is difficult to achieve using continuous supply. Thus using pulsed mode the FWHM of the symmetric (0002) diffraction was almost halved and the growth rate was several times faster.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier(->組織[Elsevier Science])
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 482
必須
必須 1 8
都市 任意
年月日 必須 2018年 1月 15日
URL 任意 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024817306437
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2017.10.036    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意