徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: Uesugi K./Hayashi Y./Shojiki K./Xiao S./[永松 謙太郎]/Yoshida H./Miyake H./Fabrication of AlN templates on SiC substrates by sputtering-deposition and high-temperature annealing/[Journal of Crystal Growth]

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EID
358355
EOID
960130
Map
0
LastModified
2019年8月28日(水) 09:40:27
Operator
永松 謙太郎
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
永松 謙太郎
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Write
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
著者 必須
  1. (英) Uesugi K.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Hayashi Y.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Shojiki K.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Xiao S.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 永松 謙太郎([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Yoshida H.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. (英) Miyake H.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Fabrication of AlN templates on SiC substrates by sputtering-deposition and high-temperature annealing

副題 任意
要約 任意

(英) High-quality AlN templates fabricated by sputtering-deposition and post-deposition high-temperature annealing have great potential for deep ultraviolet light-emitting device applications. In this work, we fabricated AlN films on 6H-SiC substrates by sputtering and face-to-face annealing and characterized the structural quality of the AlN films before and after annealing. As reported in previous studies, to accomplish high-quality AlN films on SiC substrates using conventional methods, such as molecular beam epitaxy or metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), it is important to grow the AlN on the SiC coherently. However, in this work, although the annealed AlN films were fully relaxed from the SiC substrates, or even had tensile strain, the AlN films indicated high crystallinity. The X-ray rocking curve full width at half maximum (XRC-FWHM) values of the 200-nm-thick annealed AlN film were 17 and 246arcsec for the AlN (0002) and (1012) diffraction, respectively. Though the annealed AlN film indicated rough surfaces with bunched step structures, the surface morphology was remarkably improved by MOVPE growth and clear atomic step-and-terrace structures were formed. The XRC-FWHM values of the MOVPE-grown AlN were 90 and 239arcsec for the AlN (0002) and (1012) diffraction, respectively.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier(->組織[Elsevier Science])
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 510
必須
必須 13 17
都市 任意
年月日 必須 2019年 3月 15日
URL 任意 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024819300107
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.011    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意