徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [永松 謙太郎]/Ando Y./Kono T./Cheong H./Nitta S./Honda Y./Pristovsek M./Amano H./Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE/[Journal of Crystal Growth]

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EID
358352
EOID
984935
Map
0
LastModified
2020年8月10日(月) 20:25:36
Operator
山田 美緒
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
永松 謙太郎
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所(2019年3月1日〜)
著者 必須
  1. 永松 謙太郎([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Ando Y.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Kono T.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Cheong H.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Nitta S.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Honda Y.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. (英) Pristovsek M.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. (英) Amano H.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE

副題 任意
要約 任意

(英) This study examines the effect of (0001) GaN substrate misorientation on the residual impurities and surface morphology of N-polar GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. Carbon, silicon, and oxygen concentrations decreased with increasing GaN substrate misorientation angle, with the lowest impurity concentration achieved for a misorientation angle of 2° toward the m-axis, with 6×1015cm3 carbon, 6×1015cm3 silicon, and 4×1017cm3 oxygen atoms. The oxygen concentration was measured at a depth of 0.5μm below the wafer surface, and the oxygen concentration decreased with increasing thickness. The incorporation of carbon and oxygen revealed a strong dependence on the misorientation angle. The step distance height of the steps parallel to the [1120] direction (or perpendicular to the [1100] m-direction) was confirmed to be a double-height layer step. This phenomenon indicated that m-direction steps are stable for N-polar growth in GaN. In cases of large misorientation toward the m-axis in of the GaN substrate it was difficult to control the misorientation perpendicular to the nominal direction leading to a-axis direction by wafer bowing at wafer manufacturing. Therefore, step-bunching was generated for each symmetric m-axis due to an increase in the compound's off-angle, thus causing the surface roughness to become large.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier(->組織[Elsevier Science])
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 512
必須
必須 78 83
都市 任意
年月日 必須 2019年 4月 15日
URL 任意 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024819300879
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.013    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意