徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: Barry O1./Tanaka A./[永松 謙太郎]/Bae S./Lekhal K./Matsushita J./Deki M./Nitta S./Honda Y./Amano H./Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers/[Journal of Crystal Growth]

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EID
358343
EOID
959909
Map
0
LastModified
2019年8月27日(火) 15:13:28
Operator
永松 謙太郎
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
永松 謙太郎
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Write
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
著者 必須
  1. (英) Barry O1.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Tanaka A.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 永松 謙太郎([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Bae S.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Lekhal K.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Matsushita J.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. (英) Deki M.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. (英) Nitta S.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  9. (英) Honda Y.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  10. (英) Amano H.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers

副題 任意
要約 任意

(英) We have investigated the effect of V/III ratio on the surface morphology, impurity concentration and electrical properties of mplane Gallium Nitride (GaN) homoepitaxial layers. Four-sided pyramidal hillocks are observed on the nominally on-axis mplane GaN films. Hillocks sizes relatively increase by increasing the V/III ratio. All facets of pyramidal hillocks exhibit well-defined step-terrace features. Secondary ion mass spectrometry depth profiles reveal that carbon impurities decrease by increasing the V/III ratio while the lowest oxygen content is found at an optimized V/III ratio of 900. Vertical Schottky barrier diodes fabricated on the mGaN samples were characterized. Low leakage current densities of the order of 1010 A/cm2 at 5 V are obtained at the optimum V/III ratio. Oxygen impurities and screw-component dislocations around hillocks are found to have more detrimental impact on the leakage current mechanism.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier(->組織[Elsevier Science])
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 468
必須
必須 552 556
都市 任意
年月日 必須 2017年 6月 15日
URL 任意 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024816308727?via%3Dihub
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.012    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意