358343: Barry O1./Tanaka A./[永松謙太郎]/Bae S./Lekhal K./Matsushita J./Deki M./Nitta S./Honda Y./Amano H./Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers/[Journal of Crystal Growth]

著作: Barry O1./Tanaka A./[永松謙太郎]/Bae S./Lekhal K./Matsushita J./Deki M./Nitta S./Honda Y./Amano H./Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers/[Journal of Crystal Growth]

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LastModified: 2019年8月27日(火) 15:13:28
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Owner: 永松謙太郎
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Write: 継承
Delete: 継承

種別

必須

学術論文(審査論文)

言語

必須

英語

招待

推奨

審査

推奨

Peer Review

カテゴリ

推奨

研究

共著種別

推奨

学究種別

推奨

組織

推奨

著者

必須

(英) Barry O1.

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
(英) Tanaka A.

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
永松謙太郎([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
(英) Bae S.

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
(英) Lekhal K.

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
(英) Matsushita J.

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
(英) Deki M.

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
(英) Nitta S.

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
(英) Honda Y.

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
(英) Amano H.

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨

題名

必須

(英) Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers

副題

任意

要約

任意

(英) We have investigated the effect of V/III ratio on the surface morphology, impurity concentration and electrical properties of mplane Gallium Nitride (GaN) homoepitaxial layers. Four-sided pyramidal hillocks are observed on the nominally on-axis mplane GaN films. Hillocks sizes relatively increase by increasing the V/III ratio. All facets of pyramidal hillocks exhibit well-defined step-terrace features. Secondary ion mass spectrometry depth profiles reveal that carbon impurities decrease by increasing the V/III ratio while the lowest oxygen content is found at an optimized V/III ratio of 900. Vertical Schottky barrier diodes fabricated on the mGaN samples were characterized. Low leakage current densities of the order of 1010 A/cm2 at 5 V are obtained at the optimum V/III ratio. Oxygen impurities and screw-component dislocations around hillocks are found to have more detrimental impact on the leakage current mechanism.

キーワード

推奨

発行所

推奨

Elsevier(->組織[Elsevier Science])

誌名

必須

Journal of Crystal Growth([Elsevier])

(pISSN: 0022-0248)

ISSN	任意	0022-0248 ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248) Title: Journal of crystal growth Title(ISO): J Cryst Growth Publisher: Elsevier BV (NLM Catalog) (Scopus) (CrossRef) (Scopus information is found. [need login])

巻

必須

468

号

必須

頁

必須

552 556

都市

任意

年月日

必須

2017年 6月 15日

URL

任意

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024816308727?via%3Dihub

DOI

任意

10.1016/j.jcrysgro.2016.12.012 (→Scopusで検索)

PMID

任意

NAID

任意

WOS

任意

Scopus

任意

評価値

任意

被引用数

任意

指導教員

推奨

備考

任意

徳島大学教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

著作: Barry O1./Tanaka A./[永松謙太郎]/Bae S./Lekhal K./Matsushita J./Deki M./Nitta S./Honda Y./Amano H./Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers/[Journal of Crystal Growth]

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著作: Barry O1./Tanaka A./[永松謙太郎]/Bae S./Lekhal K./Matsushita J./Deki M./Nitta S./Honda Y./Amano H./Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers/[Journal of Crystal Growth]