徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: Kasai Takahiro/Nagata K./Mori T./[永松 謙太郎]/Iwaya M./Kamiyama S./Amano H./Akasaki I./Relaxation and recovery processes of AlxGa1-xN grown on AlN underlying layer/[Journal of Crystal Growth]

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EID
358311
EOID
959920
Map
0
LastModified
2019年8月27日(火) 15:18:04
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
永松 謙太郎
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Write
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
著者 必須
  1. (英) Kasai Takahiro
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Nagata K.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Mori T.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 永松 謙太郎([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Iwaya M.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Kamiyama S.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. (英) Amano H.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. (英) Akasaki I.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Relaxation and recovery processes of AlxGa1-xN grown on AlN underlying layer

副題 任意
要約 任意

(英) The processes as in title of relaxation of the lattice mismatch and the recovery of crystalline quality in thick AlxGa1xN on high-temperature-grown AlN were investigated. When x=0.3, rapid lattice relaxation occurred over a few microns, then the crystalline quality gradually recovered over 10 μm. In contrast, when x=0.7, relaxation of the lattice mismatch gradually occurred over 5 μm.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier(->組織[Elsevier Science])
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 311
必須 10
必須 2850 2852
都市 任意
年月日 必須 2009年 3月 1日
URL 任意 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809000505
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.028    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意