徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [盧 翔孟]/[南 康夫]/[北田 貴弘]/Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs heterostructures grown on (113)A and (113)B GaAs substrates/[Journal of Crystal Growth]

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EID
349464
EOID
941443
Map
0
LastModified
2019年3月22日(金) 19:52:13
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
加藤 真樹
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Write
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)(2017年4月1日〜)
著者 必須
  1. 盧 翔孟
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 南 康夫([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 北田 貴弘([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs heterostructures grown on (113)A and (113)B GaAs substrates

副題 任意
要約 任意

(英) GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs heterostructures were grown both on (113)B and (113)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Sublattice reversal in these heterostructures were identified by comparing the anisotropic etching profile of the epitaxy sample with that for reference (113)B and (113)A GaAs substrates. Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures was achieved on (113)B GaAs substrate. On the other hand, sublattice reversal on (113)A GaAs substrate was obtained by using AlAs/Ge/AlAs heterostructures.

キーワード 推奨
  1. (英) Molecular beam epitaxy
  2. (英) Sublattice reversal
  3. (英) GaAs/Ge/GaAs
  4. (英) AlAs/Ge/AlAs
  5. (英) Heterostructures
  6. (英) (113)A and (113)B GaAs
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 512
必須
必須 74 77
都市 任意
年月日 必須 2019年 4月 15日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.010    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意
  1. (英) Available online 6 February 2019.

    (日) オンライン公開 2019年2月6日