徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [盧 翔孟]/[熊谷 直人]/[南 康夫]/[北田 貴弘]/Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity/[Japanese Journal of Applied Physics]

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EID
336904
EOID
933764
Map
0
LastModified
2018年12月2日(日) 22:58:19
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
加藤 真樹
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
著者 必須
  1. 盧 翔孟
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 熊谷 直人
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 南 康夫([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 北田 貴弘(->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity

副題 任意
要約 任意

(英) We fabricated a coupled multilayer cavity with a GaAs/Ge/GaAs sublattice reversal structure for terahertz emission application. Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs was confirmed by comparing the anisotropic etching profile of an epitaxial sample with those of reference (113)A and (113)B GaAs substrates. The interfaces of GaAs/Ge/GaAs were evaluated at the atomic level by scanning transmission electron microscopy (STEM) and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX) mapping. Defect-free GaAs/Ge/GaAs heterostructures were observed in STEM images and the sublattice lattice was directly seen through atomic arrangements in EDX mapping. A GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with a sublattice reversal structure was grown on the (113)B GaAs substrate after the confirmation of sublattice reversal. Smooth GaAs/AlAs interfaces were formed over the entire region of the coupled multilayer cavity structure both below and above the Ge layer. Two cavity modes with a frequency difference of 2.9 THz were clearly observed.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
ISSN 任意 1347-4065
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 57
必須 4S
必須 04FH07 04FH07
都市 任意
年月日 必須 2018年 3月 13日
URL 任意
DOI 任意 10.7567/JJAP.57.04FH07    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意 2-s2.0-85044456924
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意
  1. (日) 「国際会議」として別データ有り EID=333735