徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [盧 翔孟]/[熊谷 直人]/[南 康夫]/[北田 貴弘]/Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures grown on (113)B GaAs substrates/[Applied Physics Express]

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EID
335212
EOID
932334
Map
0
LastModified
2018年11月26日(月) 18:09:08
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
加藤 真樹
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
著者 必須
  1. 盧 翔孟
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 熊谷 直人
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 南 康夫([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 北田 貴弘(->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures grown on (113)B GaAs substrates

副題 任意
要約 任意

(英) GaAs/Ge/GaAs heterostructures were grown on high-index (113)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs was identified by comparing the anisotropic etching profile of the epitaxial sample with that for reference (113)A and (113)B GaAs substrates. The shape of the resulting mesa for the lower GaAs layer was similar to that for the reference (113)B GaAs substrate, whereas that for the upper GaAs layer was similar to that for the reference (113)A GaAs substrate. An atomic-resolution analysis was also conducted by mapping using energy-dispersive X-ray spectroscopy, whereby the sublattice reversal was directly observed through the atomic arrangements.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Applied Physics Express([応用物理学会])
(pISSN: 1882-0778, eISSN: 1882-0786)
ISSN 任意 1882-0786
ISSN: 1882-0778 (pISSN: 1882-0778, eISSN: 1882-0786)
Title: Applied physics express
Title(ISO): Appl Phys Express
Publisher: Japan Soc of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 11
必須 1
必須 015501 015501
都市 任意
年月日 必須 2018年 1月 初日
URL 任意
DOI 任意 10.7567/APEX.11.015501    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意