著作: [盧 翔孟]/[熊谷 直人]/[南 康夫]/[北田 貴弘]/Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures grown on (113)B GaAs substrates/[Applied Physics Express]
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種別 | 必須 | 学術論文(審査論文) | |||
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言語 | 必須 | 英語 | |||
招待 | 推奨 | ||||
審査 | 推奨 | ||||
カテゴリ | 推奨 | ||||
共著種別 | 推奨 | ||||
学究種別 | 推奨 | ||||
組織 | 推奨 | ||||
著者 | 必須 | ||||
題名 | 必須 |
(英) Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures grown on (113)B GaAs substrates |
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副題 | 任意 | ||||
要約 | 任意 |
(英) GaAs/Ge/GaAs heterostructures were grown on high-index (113)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs was identified by comparing the anisotropic etching profile of the epitaxial sample with that for reference (113)A and (113)B GaAs substrates. The shape of the resulting mesa for the lower GaAs layer was similar to that for the reference (113)B GaAs substrate, whereas that for the upper GaAs layer was similar to that for the reference (113)A GaAs substrate. An atomic-resolution analysis was also conducted by mapping using energy-dispersive X-ray spectroscopy, whereby the sublattice reversal was directly observed through the atomic arrangements. |
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キーワード | 推奨 | ||||
発行所 | 推奨 | ||||
誌名 | 必須 |
Applied Physics Express([応用物理学会])
(pISSN: 1882-0778, eISSN: 1882-0786)
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巻 | 必須 | 11 | |||
号 | 必須 | 1 | |||
頁 | 必須 | 015501 015501 | |||
都市 | 任意 | ||||
年月日 | 必須 | 2018年 1月 初日 | |||
URL | 任意 | ||||
DOI | 任意 | 10.7567/APEX.11.015501 (→Scopusで検索) | |||
PMID | 任意 | ||||
CRID | 任意 | ||||
WOS | 任意 | ||||
Scopus | 任意 | ||||
評価値 | 任意 | ||||
被引用数 | 任意 | ||||
指導教員 | 推奨 | ||||
備考 | 任意 |