徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [南 康夫]/Ota Hiroto/[盧 翔孟]/[熊谷 直人]/[北田 貴弘]/[井須 俊郎]/Current-injection two-color lasing in a wafer-bonded coupled multilayer cavity with InGaAs multiple quantum wells/[Japanese Journal of Applied Physics]

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EID
322681
EOID
931693
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0
LastModified
2018年11月22日(木) 16:41:42
Operator
三木 ちひろ
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TRUE
Censor
0
Owner
加藤 真樹
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨 国内共著(徳島大学内研究者と国内(学外)研究者との共同研究 (国外研究者を含まない))
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座)(〜2018年3月31日)
著者 必須
  1. 南 康夫
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Ota Hiroto
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 盧 翔孟
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 熊谷 直人
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 北田 貴弘(->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 井須 俊郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Current-injection two-color lasing in a wafer-bonded coupled multilayer cavity with InGaAs multiple quantum wells
副題 任意
要約 任意

(英) Current-injection two-color lasing has been demonstrated using a GaAs/AlGaAs coupled multilayer cavity that is a good candidate for novel terahertz-emitting devices based on difference-frequency generation (DFG) inside the structure. The coupled cavity structure was fabricated by the direct wafer bonding of (001)- and (113)B-oriented epitaxial wafers for the efficient DFG of two modes in the (113)B side cavity, and two types of InGaAs multiple quantum wells (MQWs) were introduced only in the (001) side cavity as optical gain materials. The threshold behavior was clearly observed in the currentlight output curve even at room temperature. Two-color lasing was successfully observed when the gain peaks of MQWs were considerably tuned to the cavity modes by the operating temperature.
キーワード 推奨
発行所 推奨 応用物理学会
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
ISSN 任意 0021-4922
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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巻 必須 56
号 必須 4S
頁 必須 04CH01 04CH01
都市 任意
年月日 必須 2017年 2月 14日
URL 任意
DOI 任意 10.7567/JJAP.56.04CH01    (→Scopusで検索)
PMID 任意
CRID 任意
WOS 任意
Scopus 任意 2-s2.0-85017101078
機関リポジトリ 111095
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意