著作: Murakumo Keisuke/Yamaoka Yuya/[熊谷 直人]/[北田 貴弘]/[井須 俊郎]/Photoconductivity of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs layers with 1.5mm cw and pulse excitation/[Japanese Journal of Applied Physics]
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種別 | 必須 | 学術論文(審査論文) | |||
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言語 | 必須 | 英語 | |||
招待 | 推奨 | ||||
審査 | 推奨 | ||||
カテゴリ | 推奨 | ||||
共著種別 | 推奨 | ||||
学究種別 | 推奨 | ||||
組織 | 推奨 | ||||
著者 | 必須 | ||||
題名 | 必須 |
(英) Photoconductivity of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs layers with 1.5mm cw and pulse excitation |
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副題 | 任意 | ||||
要約 | 任意 |
(英) We fabricated a photoconductive antenna structure utilizing Er-doped InAs quantum dot layers embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As layers on a GaAs substrate. Mesa-shaped electrodes for the antenna structure were formed by photolithography and wet etching in order to suppress its dark current. We measured the photocurrent with the excitation of >1.5 μm cw and femtosecond pulse lasers. Compared with the dark current, the photocurrent was clearly observed under both cw and pulse excitation conditions and almost linearly increased with increasing excitation power in a wide range of magnitudes from 10W/cm2 to 10MW/cm2 order. |
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キーワード | 推奨 | ||||
発行所 | 推奨 | 応用物理学会 | |||
誌名 | 必須 |
Japanese Journal of Applied Physics([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
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巻 | 必須 | 55 | |||
号 | 必須 | 4S | |||
頁 | 必須 | 04EH12 04EH12 | |||
都市 | 任意 | ||||
年月日 | 必須 | 2016年 3月 23日 | |||
URL | 任意 | ||||
DOI | 任意 | 10.7567/JJAP.55.04EH12 (→Scopusで検索) | |||
PMID | 任意 | ||||
CRID | 任意 | ||||
WOS | 任意 | 000373929400101 | |||
Scopus | 任意 | 2-s2.0-84963679809 | |||
評価値 | 任意 | ||||
被引用数 | 任意 | ||||
指導教員 | 推奨 | ||||
備考 | 任意 |