徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Ota Hiroto/[盧 翔孟]/[熊谷 直人]/[北田 貴弘]/[井須 俊郎]/Fabrication of two-color surface emitting device of a coupled cavity structure with InAs QDs formed by wafer-bonding/[Japanese Journal of Applied Physics]

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EID
310121
EOID
931737
Map
0
LastModified
2018年11月22日(木) 16:46:03
Operator
三木 ちひろ
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
加藤 真樹
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座)(〜2018年3月31日)
著者 必須
  1. (英) Ota Hiroto
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 盧 翔孟
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 熊谷 直人
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 北田 貴弘(->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 井須 俊郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Fabrication of two-color surface emitting device of a coupled cavity structure with InAs QDs formed by wafer-bonding
副題 任意
要約 任意

(英) We fabricated a two-color surface emitting device of a coupled cavity structure, which is applicable to terahertz light source. GaAs/AlGaAs vertical multilayer cavity structures were grown on (001) and (113)B GaAs substrates and the coupled multilayer cavity structure was fabricated by wafer bonding them. The top cavity contains self-assembled InAs quantum dots (QDs) as optical gain materials for two-color emission of cavity-mode lights. The bonding position was optimized for the equivalent intensity of two-color emission. We formed a current injection structure, and two-color emission was observed by current injection, although no lasing was observed.
キーワード 推奨
発行所 推奨 応用物理学会
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
ISSN 任意 0021-4922
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog)   (Webcat Plus)   (Webcat Plus)   (Webcat Plus)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
巻 必須 55
号 必須 4S
頁 必須 04EH09 04EH09
都市 任意
年月日 必須 2016年 3月 18日
URL 任意
DOI 任意 10.7567/JJAP.55.04EH09    (→Scopusで検索)
PMID 任意
CRID 任意
WOS 任意 000373929400098
Scopus 任意 2-s2.0-84963701169
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意