徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: Li Liuan/Nakamura Ryosuke/Wang Qingpeng/Jiang Ying/[敖 金平]/Synthesis of titanium nitride for self-aligned gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors/[Nanoscale Research Letters]

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EID
300657
EOID
988138
Map
0
LastModified
2020年8月22日(土) 21:15:56
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
敖 金平
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨 博士後期課程学生による研究報告
組織 推奨
著者 必須
  1. (英) Li Liuan
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Nakamura Ryosuke
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Wang Qingpeng
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Jiang Ying
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 敖 金平
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Synthesis of titanium nitride for self-aligned gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

副題 任意
要約 任意
キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Nanoscale Research Letters(Nano Research Society)
(pISSN: 1931-7573, eISSN: 1556-276X)
ISSN 任意 1556-276X
ISSN: 1931-7573 (pISSN: 1931-7573, eISSN: 1556-276X)
Title: Nanoscale research letters
Title(ISO): Nanoscale Res Lett
Publisher: Springer
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 9
必須 1
必須 590 590
都市 任意
年月日 必須 2014年 10月 28日
URL 任意
DOI 任意 10.1186/1556-276X-9-590    (→Scopusで検索)
PMID 任意
CRID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意