徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [盧 翔孟]/Matsubara Shuzo/Nakagawa Yoshinori/[北田 貴弘]/[井須 俊郎]/Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap/[Journal of Crystal Growth]

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EID
295898
EOID
931721
Map
0
LastModified
2018年11月22日(木) 16:45:58
Operator
三木 ちひろ
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
加藤 真樹
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座)(〜2018年3月31日)
著者 必須
  1. 盧 翔孟
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Matsubara Shuzo
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Nakagawa Yoshinori
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 北田 貴弘([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 井須 俊郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap

副題 任意
要約 任意

(英) Self-assembled InAs quantum dots (QDs), without and with an AlAs cap, were grown on (311)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Surface morphologies of QDs were characterized by atomic force microscopy. Photoluminescence (PL) was performed in the 4 300 K temperature range. For QDs without AlAs cap, sharp and intense PL emitted from wetting layer was observed. PL from QDs was relatively weak at 4 K. The PL intensity of QDs decreased as measurement temperature increased and was not observed at 300 K. For QDs with AlAs cap, PL from WL vanished while PL from QDs were substantially enhanced at 300 K. Suppression of PL from WL indicates that the thickness of WL was reduced due to phase separation result from AlAs cap, which is an effective way to improve the PL of InAs QDs grown on (311)B GaAs substrate.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 425
必須 ---
必須 106 109
都市 任意
年月日 必須 2015年 6月 18日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2015.02.074    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000356669200025
Scopus 任意 2-s2.0-84979964606
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意