授業概要: 2003/光デバイスプロセス工学
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種別 | 必須 | 工学部•昼間 (授業概要) | |||
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入学年度 | 必須 | 西暦 2003年 (平成 15年) | |||
名称 | 必須 |
(英) Fabrication Technology of Optical Semiconductor Devices / (日) 光デバイスプロセス工学 / (読) ひかりでばいすぷろせすこうがく
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形態 | 不用 | ||||
コース | 必須 | ||||
担当教員 | 必須 | ||||
単位 | 必須 | 1 | |||
目的 | 必須 |
(日) 近年,光産業の進展にはめざましいものがある.その一翼を担っているのが半導体レーザー,フォトダイオードなどの光半導体デバイスである.本授業では,これらの光デバイスの原理から応用および製造プロセスについて理解させる. |
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概要 | 必須 |
(日) 1.光情報通信ネットワークと光情報処理.2.光デバイス:原理と応用,3.プロセス:3.1.エピタキシー;液相· 気相エピタキシー法や分子線エピタキシー法.3.2. ウェハ-·プロセス;ウェハ-の製造プロセス,3.3.組立プロセス;発光素子やLSIの 製造プロセス. |
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キーワード | 推奨 | ||||
先行科目 | 推奨 | ||||
関連科目 | 推奨 | ||||
要件 | 任意 | ||||
注意 | 任意 | ||||
目標 | 必須 |
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計画 | 必須 |
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評価 | 必須 |
(日) 講義への取り組み状況,レポートにより評価する. |
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JABEE合格 | 任意 |
(日) 単位合格と同一 |
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JABEE関連 | 任意 |
(日) B, C |
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対象学生 | 任意 | 開講コース学生のみ履修可能 | |||
教科書 | 必須 |
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参考資料 | 推奨 |
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URL | 任意 | ||||
連絡先 | 推奨 |
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科目コード | 推奨 | ||||
備考 | 任意 |
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