徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [日下 一也]/谷口 大輔/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/Effect of sputtering gas pressure and nitrogen concentration on crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films/[Vacuum]

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EID
26298
EOID
934255
Map
0
LastModified
2018年12月3日(月) 18:13:36
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Taniguchi Daisuke / (日) 谷口 大輔 / (読) たにぐち だいすけ
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《谷口 大輔 () @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 1999年4月〜2001年3月》
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  3. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of sputtering gas pressure and nitrogen concentration on crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films

副題 任意
要約 任意

(英) The crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films were investigated by X-ray diffraction. The AlN films were deposited on a glass substrate by direct current (DC) and radio frequency (RF) planar magnetron sputtering system at mixed gas of argon and nitrogen under various sputtering gas pressures (P) and nitrogen concentrations (CN). The following results were obtained: (1) the degree of the c-axis orientation of AlN films deposited by RF sputtering was superior to those produced by DC sputtering; (2) the degree of the c-axis orientation of AlN films was improved with decreasing P and increasing CN; (3) in-plane large compressive stress was obtained at low P, and in-plane tensile stress was obtained at high P (P>1.3 Pa); (4) film produced by DC sputtering at low P (P<1 Pa) extensively included micro-cracks; and (5) in-plane tensile stress was obtained at low CN and large compressive stress was obtained at CN (CN>40%).

(日) スパッタ生成したAlN膜の結晶配向性および残留応力をX線回折により調べた.AlN膜は,いろいろなスパッタリングガス圧(P)および窒素濃度(CN)の条件下で,アルゴンと窒素の混合ガスを用いた直流(DC)および高周波(RF)プレーナマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に堆積させた.以下の結果が得られた.(1)RFスパッタリングで堆積したAlN膜の結晶配向性は,DCスパッタリングで生成したものよりも優れている.(2)AlN膜のc軸配向性はPの減少およびCNの増加とともに向上する.(3)大きな平面圧縮応力は低Pで得られ,平面引張応力は高P(P<1 Pa)で得られた.(4)低P(P<1 Pa)でDCスパッタリングにより生成された膜には,微小クラックが広範囲に発生した.(5)平面引張応力は低CNで得られ,大きな圧縮応力は高CN(CN>40%)で得られた.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier Science
誌名 必須 Vacuum([Elsevier Science])
(pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
ISSN 任意 0042-207X
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 66
必須 3-4
必須 441 446
都市 任意
年月日 必須 2002年 8月 19日
URL 任意 http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW4-456272W-7&_coverDate=08%2F19%2F2002&_alid=193595515&_rdoc=1&_fmt=&_orig=search&_qd=1&_cdi=5552&_sort=d&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=c1f799d322a138c8f36a80ea3ba9a226
DOI 任意 10.1016/S0042-207X(02)00168-9    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000177582000042
Scopus 任意 2-s2.0-0037136161
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意