徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Inoue Naohisa/Tanahashi K/[森 篤史]/Point defect behavior in growing silicon crystal/Proceedings of the Kazuza Akadamia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99

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EID
261287
EOID
683433
Map
0
LastModified
2013年4月3日(水) 22:21:32
Operator
森 篤史
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
森 篤史
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 大阪府立大学
  2. 徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座
著者 必須
  1. (英) Inoue Naohisa
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Tanahashi K
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 森 篤史
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Point defect behavior in growing silicon crystal

副題 任意
要約 任意

(英) Equilibrium concentration of point defects under various conditions in a growing Si crystal is theoretically examined. Equilibrium concentration at the free surface, in the bulk and during the formation of secondary defects, i.e. dislocation loops and voids are considered. We show that equilibrium concentration is not unique during the crystal growth.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Proceedings of the Kazuza Akadamia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99
ISSN 任意
必須
必須
必須 31 39
都市 任意 千葉(Chiba/[日本国])
年月日 必須 1999年 11月 24日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意
  1. (英) Kazuza Akadamia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, November 24-26, 1999