徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: 山中 陽一郎/棚橋 克人/三箇山 毅/井上 直久/[森 篤史]/Nucleation of void defects in CZ silicon/Proceedings of Electrochemical Society 2000 Fall Meeting "High Purity Silicon VI"

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EID
261285
EOID
683426
Map
0
LastModified
2013年4月3日(水) 22:07:16
Operator
森 篤史
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
森 篤史
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Write
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 大阪府立大学
  2. 徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座
著者 必須
  1. (英) Yamanaka Yoichiro / (日) 山中 陽一郎 / (読) やまなか よういちろう
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Tanahashi Katsuto / (日) 棚橋 克人 / (読) たなはし かつと
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Mikayama Takeshi / (日) 三箇山 毅 / (読) みかやま たけし
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Inoue Naohisa / (日) 井上 直久 / (読) いのうえ なおひさ
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 森 篤史
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Nucleation of void defects in CZ silicon

副題 任意
要約 任意
キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Proceedings of Electrochemical Society 2000 Fall Meeting "High Purity Silicon VI"
ISSN 任意
必須
必須 677
必須 77 85
都市 任意 フェニックス(Phoenix/[アメリカ合衆国])
年月日 必須 2000年 0月 末日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意