徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Natsume Arata/Inoue Naohisa/Tanahashi Katuto/[森 篤史]/Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon/Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-12)

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EID
261256
EOID
683409
Map
0
LastModified
2013年4月3日(水) 18:26:13
Operator
森 篤史
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
森 篤史
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 国際会議
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 大阪府立大学
  2. 徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座
著者 必須
  1. (英) Natsume Arata
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Inoue Naohisa
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Tanahashi Katuto
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 森 篤史
    役割 任意

    (日) 議論

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon

副題 任意
要約 任意
キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-12)
ISSN 任意
必須
必須
必須
都市 必須 (英) Vail, Colorado, USA
年月日 必須 2000年 8月 13日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意
  1. (英) Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-12), August 13-18, 2000