徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: 井上 直久/三箇山 毅/山中 陽一郎/原田 英明/[森 篤史]/Distribution Coefficient of Nitrogen in Silicon/Abstract of The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy

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EID
25354
EOID
683398
Map
0
LastModified
2013年4月3日(水) 17:15:13
Operator
森 篤史
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
森 篤史
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継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 国際会議
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 大阪府立大学
  2. 徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座
著者 必須
  1. (英) Inoue Naohisa / (日) 井上 直久 / (読) いのうえ なおひさ
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Mikayama Takeshi / (日) 三箇山 毅 / (読) みかやま たけし
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Yamanaka Yoichiro / (日) 山中 陽一郎 / (読) やまなか よういちろう
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Harada, Hideaki / (日) 原田 英明 / (読) はらだ ひであき
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 森 篤史
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Distribution Coefficient of Nitrogen in Silicon

副題 任意
要約 任意
キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Abstract of The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy
ISSN 任意
必須
必須
必須 103 103
都市 必須 京都(Kyoto/[日本国])
年月日 必須 2001年 7月 31日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意
  1. (英) The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, July 30-August 4, 2001

  2. (英) 31p-S14-07, G02-2 Bulk crystal #2 Si, Ge defect & fundamentals and compound semiconductors