徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: 喜久間 拓也/[富永 喜久雄]/古谷 一男/[日下 一也]/[英 崇夫]/[向井 孝志]/GaN films deposited by planar magnetron sputtering/[Vacuum]

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EID
24613
EOID
880820
Map
0
LastModified
2017年12月23日(土) 16:46:38
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
  2. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
著者 必須
  1. (英) Kikuma Takuya / (日) 喜久間 拓也 / (読) きくま たくや
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《喜久間 拓也 () @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 2000年4月〜2002年3月》
    《喜久間 拓也 () @ 工学部 [学部学生] 1996年4月〜2000年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  2. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Furutani Kazuo / (日) 古谷 一男 / (読) ふるたに かずお
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 向井 孝志([日亜化学工業株式会社])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) GaN films deposited by planar magnetron sputtering

副題 任意
要約 任意

(英) The crystal orientation of GaN films deposited on fused quartz substrates by rf planar magnetron sputtering using a mesh to guard against plasma exposure was investigated by X-ray diffraction. Sample films were deposited at constant N2 gas pressure and input power at a range of substrate temperatures between 84℃ and 600℃. It was found that GaN films with good crystal orientation can be produced by rf sputtering with the c-axis of GaN crystals oriented normal to the substrate surface in almost all films produced. The crystal 00·2 orientation was good at substrate temperatures exceeding 300℃, however, films deposited at 600℃ peeled from the substrate. The fine mesh installed to protect the film from exposure to plasma was found to be very useful for depositing films with a good crystal orientation of 00·2, and the best crystal orientation was realized for a film deposited by sputtering with a target to mesh separation of 30 mm.

(日) プラズマ防止網を使ったRFプレーナマグネトロンスパッタリングにより溶融石英基板上に堆積したGaN膜の結晶配向性を調べた.一定のN2ガス圧,一定の供給電力,84℃と600℃の間のいろいろな基板温度で試料の膜を堆積した.良いc軸配向性を有するGaN膜がRFスパッタリングにより生成された.また,生成したほとんどすべての膜において,基板面法線方向にGaN結晶のc軸が配向した. 300℃以上の基板温度で堆積した膜の結晶配向性は良いけれども,600℃で堆積した膜は基板から剥離した.プラズマ露光から膜を守るために取り付けた目の細かい網は,結晶配向性の良い膜を堆積させるのにたいへん有効であることが分かった.そして,ターゲットから30mmの距離に網を設置してスパッタリング生成した膜の結晶配向性が最も良かった.

キーワード 推奨
  1. (英) sputtered GaN film
  2. (英) sputtering
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [キーワード] スパッタリング (sputtering)
  3. (英) DIMETHYLHYDRAZINE
  4. (英) HETEROSTRUCTURE
  5. (英) DIODES
発行所 推奨
誌名 必須 Vacuum([Elsevier Science])
(pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
ISSN 任意 0042-207X
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 66
必須 3-4
必須 233 237
都市 任意
年月日 必須 2002年 8月 19日
URL 任意 http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW4-455VK47-8&_coverDate=08%2F19%2F2002&_alid=193594923&_rdoc=1&_fmt=&_orig=search&_qd=1&_cdi=5552&_sort=d&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=997fa1e1602235d1481268c861128f34
DOI 任意 10.1016/S0042-207X(02)00147-1    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000177582000008
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意