著作: [西野 克志]/菊田 大悟/[酒井 士郎]/Bulk GaN growth by direct synthesis method/[Journal of Crystal Growth]
ヘルプを読む
「著作」(著作(著書,論文,レター,国際会議など))は,研究業績にかかる著作(著書,論文,レター,国際会議など)を登録するテーブルです. (この情報が属するテーブルの詳細な定義を見る)
- 項目名の部分にマウスカーソルを置いて少し待つと,項目の簡単な説明がツールチップ表示されます.
種別 | 必須 | 学術論文(審査論文) | |||
---|---|---|---|---|---|
言語 | 必須 | ||||
招待 | 推奨 | ||||
審査 | 推奨 | ||||
カテゴリ | 推奨 | ||||
共著種別 | 推奨 | ||||
学究種別 | 推奨 | ||||
組織 | 推奨 | ||||
著者 | 必須 | ||||
題名 | 必須 |
(英) Bulk GaN growth by direct synthesis method |
|||
副題 | 任意 | ||||
要約 | 任意 |
(日) 直接合成法によるバルクGaNの結晶成長を行った.サファイア基板上にMOCVD法により薄膜GaNを成長したものを基板に用いると平坦な表面の厚膜GaNが得られた.サファイア上に直接成長を行うと表面は荒れ結晶性の良くないGaNが成長したが,直接合成法でもバッファ層を導入することにより表面が平坦で結晶性の良い厚膜GaNを成長することに成功した. |
|||
キーワード | 推奨 |
|
|||
発行所 | 推奨 | ||||
誌名 | 必須 |
Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
|
|||
巻 | 必須 | 237-239 | |||
号 | 必須 | 0 | |||
頁 | 必須 | 922 925 | |||
都市 | 任意 | ||||
年月日 | 必須 | 2002年 4月 1日 | |||
URL | 任意 | ||||
DOI | 任意 | 10.1016/S0022-0248(01)02079-6 (→Scopusで検索) | |||
PMID | 任意 | ||||
NAID | 任意 | ||||
WOS | 任意 | 000176512900003 | |||
Scopus | 任意 | ||||
評価値 | 任意 | ||||
被引用数 | 任意 | ||||
指導教員 | 推奨 | ||||
備考 | 任意 |