徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [西野 克志]/菊田 大悟/[酒井 士郎]/Bulk GaN growth by direct synthesis method/[Journal of Crystal Growth]

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EID
24178
EOID
876435
Map
0
LastModified
2017年11月28日(火) 17:52:30
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
西野 克志
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Write
継承
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) 実験,実験全般の指導および結果の検討

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Kikuta Daigo / (日) 菊田 大悟 / (読) きくた だいご
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《菊田 大悟 (Kikuta Daigo) @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 2001年4月〜2003年3月》
    《菊田 大悟 () @ 工学部 [学部学生] 1997年4月〜2001年3月》
    《菊田 大悟 () @ 工学研究科.博士後期課程 [大学院学生] 2003年4月〜2006年3月》
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  3. 酒井 士郎
    役割 任意

    (日) やり方の指導

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Bulk GaN growth by direct synthesis method

副題 任意
要約 任意

(日) 直接合成法によるバルクGaNの結晶成長を行った.サファイア基板上にMOCVD法により薄膜GaNを成長したものを基板に用いると平坦な表面の厚膜GaNが得られた.サファイア上に直接成長を行うと表面は荒れ結晶性の良くないGaNが成長したが,直接合成法でもバッファ層を導入することにより表面が平坦で結晶性の良い厚膜GaNを成長することに成功した.

キーワード 推奨
  1. (英) single crystal growth
  2. (英) nitrides
  3. (英) semiconducting gallium compounds
  4. (英) VAPOR-PHASE EPITAXY
  5. (英) SURFACE-MORPHOLOGY
  6. (英) SUBLIMATION METHOD
  7. (英) HYDRIDE
  8. (英) SUBSTRATE
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [キーワード] 基質認識 (substrate recognition)
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 237-239
必須 0
必須 922 925
都市 任意
年月日 必須 2002年 4月 1日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/S0022-0248(01)02079-6    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000176512900003
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意