徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [酒井 士郎]/Kurai Satoshi/[西野 克志]/Wada K/Sato Hisao/[直井 美貴]/Growth of GaN by Sublimation Technique and Homoepitaxial Growth by MOCVD/Material Research Society Symposium Proc.

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EID
23907
EOID
313527
Map
0
LastModified
2006年11月21日(火) 10:34:11
Operator
高木 真由美
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
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Write
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Kurai Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Wada K
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [個人] 石川 大地
    [個人] 岩楯 好昭
    [個人] 柏田 良樹 ([徳島大学.大学院医歯薬学研究部.薬学域.薬科学部門.生命薬学系.生薬学])
    [個人] 川田 昌武 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.電気エネルギー分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.電気エネルギー講座])
    [個人] 河田 和子 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.社会総合科学域.国際教養系.日本・アジア分野])
    [個人] 際田 弘志
    [個人] 沢田 正樹 ([徳島大学.口腔科学教育部.口腔科学専攻.口腔健康科学講座.口腔顎顔面矯正学])
    [個人] 澤田 和彦
    [個人] 澤田 健吉
    [個人] 澤田 俊明
    [個人] 澤田 直樹
    [個人] 澤田 麻衣子
    [個人] 武川 大輔 ([徳島大学.大学院医歯薬学研究部.歯学域.口腔科学部門.臨床歯学系.歯科保存学]/[徳島大学.病院.診療科.歯科.むし歯科(第一保存科)])
    [個人] 和田 佳三 ([徳島大学.大学院医歯薬学研究部.医学域.連携研究部門(医学域).寄附講座系(医学域).脊椎関節機能再建外科学])
    [個人] 和田 剛
    [個人] 和田 録樹
    [個人] 和田 直樹 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.生物資源産業学域.生物生産系.生物資源生産科学分野])
    [個人] 和田 眞
    この情報が上記に掲げた個人の業績等に分類されるためには参照登録が必要です.上記に掲げた個人本人に該当する場合には参照登録に変更してください.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《桑田 真哉 (Kuwada Shinya) @ 総合科学部 [学部学生] 1997年4月〜2001年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  5. (英) Sato Hisao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) MOCVD成長,光学測定実験,考察

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Growth of GaN by Sublimation Technique and Homoepitaxial Growth by MOCVD

副題 任意
要約 任意

(日) 昇華法によるバルクGaNおよび有機金属気相成長法によるホモエピタキシャル成長について報告している.昇華法における原料粉は,多種類のガリウム,窒素および水素化物から構成される化合物であることを示した.また,有機金属気相成長法におえる核発生制御手法について検討した.六角形柱状結晶が選択的に形成され,本手法がデバイスプロセスに応用できることを示した.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Material Research Society Symposium Proc.
データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
[雑誌] Materials Research Society Symposia Proceedings ([Cambridge University Press])
ISSN 任意
必須 449
必須
必須 15 22
都市 任意
年月日 必須 1997年 4月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意