徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [酒井 士郎]/Kurai Satoshi/[西野 克志]/Wada K/Sato Hisao/[直井 美貴]/Growth of GaN by Sublimation Technique and Homoepitaxial Growth by MOCVD/Material Research Society Symposium Proc.

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EID
23907
EOID
313527
Map
0
LastModified
2006年11月21日(火) 10:34:11
Operator
高木 真由美
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Kurai Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Wada K
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Sato Hisao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) MOCVD成長,光学測定実験,考察

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Growth of GaN by Sublimation Technique and Homoepitaxial Growth by MOCVD

副題 任意
要約 任意

(日) 昇華法によるバルクGaNおよび有機金属気相成長法によるホモエピタキシャル成長について報告している.昇華法における原料粉は,多種類のガリウム,窒素および水素化物から構成される化合物であることを示した.また,有機金属気相成長法におえる核発生制御手法について検討した.六角形柱状結晶が選択的に形成され,本手法がデバイスプロセスに応用できることを示した.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Material Research Society Symposium Proc.
ISSN 任意
必須 449
必須
必須 15 22
都市 任意
年月日 必須 1997年 4月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意