徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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特許・実用新案: [酒井 士郎]/窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-23)/20010627

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EID
23773
EOID
35640
Map
0
LastModified
2002年2月7日(木) 09:40:53
Operator
酒井 士郎
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
酒井 士郎
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継承
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
種別 必須 特許
出願国 必須
発明者 必須
  1. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
出願人 推奨
名称 必須

(日) 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-23)

要約 任意
キーワード 推奨
出願 必須 2001−194060
出願年月日 必須 2001年 6月 27日
開示 必須
番号 必須
年月日 必須
備考 任意