徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [酒井 士郎]/Wang Tao/Morishima Y/[直井 美貴]/A New Method of Reducing Dislocation Density in GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by MOVPE/[Journal of Crystal Growth]

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EID
23659
EOID
995357
Map
0
LastModified
2020年11月8日(日) 19:31:14
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
酒井 士郎
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Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Wang Tao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Morishima Y
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) 実験

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) A New Method of Reducing Dislocation Density in GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by MOVPE

副題 任意
要約 任意

(日) SiNバッファ層を用いた低転位GaN膜成長方法について議論し,その低転位化機構をAFM,X線回折を用いて調査し,結晶成長モデルを提案した.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 221
必須 1
必須 334 337
都市 任意
年月日 必須 2000年 12月 初日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/S0022-0248(00)00709-0    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意 2-s2.0-0034511241
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意