徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Wang Tao/Morishima Y/Naoi N/[酒井 士郎]/A new method for a great reduction of dislocation density in a GaN layer on a sapphire substrate/[Journal of Crystal Growth]

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EID
23632
EOID
995355
Map
0
LastModified
2020年11月8日(日) 19:30:29
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
酒井 士郎
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Wang Tao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Morishima Y
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Naoi N
    役割 任意

    (日) 実験

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) A new method for a great reduction of dislocation density in a GaN layer on a sapphire substrate

副題 任意
要約 任意

(日) MOCVD法によるサファイア上GaN成長において転位密度低減のための新しい手法を提案した.SiNをバファア層として用いることにより,転位密度が著しく減少することを示した.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 213
必須 1-2
必須 188 192
都市 任意
年月日 必須 2000年 1月 1日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/S0022-0248(00)00373-0    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000087091300025
Scopus 任意 2-s2.0-0033732412
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意