徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [北田 貴弘]/Takahashi Tomoya/Ueyama Hyuga/[森田 健]/[井須 俊郎]/Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers/[Journal of Crystal Growth]

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EID
229897
EOID
932565
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0
LastModified
2018年11月27日(火) 16:36:51
Operator
加藤 真樹
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TRUE
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0
Owner
加藤 真樹
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座)(〜2018年3月31日)
著者 必須
  1. 北田 貴弘([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Takahashi Tomoya
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Ueyama Hyuga
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 森田 健
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 井須 俊郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers

副題 任意
要約 任意

(英) Effects of erbium doping on photocarrier lifetime have been investigated for self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers grown on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Time-resolved transmission change measurements were performed on 20-layer stacks of the Er-doped InAs QDs at room temperature using 0.1 ps laser pulses with the center wavelength of 1.5 um. Fast and slow decay components were observed in the temporal profile of eachEr-doped InAs QD sample. The slow decay component attributed to the radiative recombination process in the QDs was well suppressed by increasing Er-doping density. Moreover, the decay time of the fast component due to the nonradiative process was markedly reduced by the incorporation of Er dopants during the QD formation. A decay time of 3.5 ps was obtained for the Er-doped InAs QD sample with a sheet density of incorporated Er dopants per QD layer of 2.7×1013cm-2.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 323
必須 1
必須 241 243
都市 任意
年月日 必須 2011年 5月 30日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.120    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000292175000060
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意