徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: Bai Jie/Izumi Yuji/Wang Tao/[酒井 士郎]/A Study of dislocations in InGaN/GaN multiple-quantum-well structure grownon (11-20) sapphire substrate/[Journal of Crystal Growth]

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EID
21989
EOID
935307
Map
0
LastModified
2018年12月6日(木) 11:28:09
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
酒井 士郎
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Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Bai Jie
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Izumi Yuji
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Wang Tao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) A Study of dislocations in InGaN/GaN multiple-quantum-well structure grownon (11-20) sapphire substrate
副題 任意
要約 任意
キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
巻 必須 223
号 必須 1-2
頁 必須 61 68
都市 任意
年月日 必須 2001年 1月 1日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/S0022-0248(00)01013-7    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意