徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: 山中 陽一郎/棚橋 克人/三箇山 毅/井上 直久/[森 篤史]/Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察/[真空]

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EID
219627
EOID
819296
Map
0
LastModified
2016年5月6日(金) 20:30:36
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
森 篤史
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継承
種別 必須 学術レター(ショートペーパー)
言語 必須 日本語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 大阪府立大学
  2. 徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座
著者 必須
  1. (英) Yamanaka Yoichiro / (日) 山中 陽一郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Tanahashi Katuto / (日) 棚橋 克人 / (読) たなはし かつと
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Mikayama Takeshi / (日) 三箇山 毅
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Inoue, Naohisa / (日) 井上 直久 / (読) いのうえ なおひさ
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 森 篤史
    役割 任意

    (日) 議論

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) On the Nucleation Mechanism of the Void Defects in Czochralski Silicon

(日) Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察

副題 任意
要約 任意

(英) There are void defects in as-grown Czochralski Silicon. Void defects provoke breakdown of thermal oxide in the MOS structure. Therefore it is necessary to study their nucleation mechanism. We had proposed the heterogeneous nucleation model. Recently, homogeneous nucleation model has been proposed by Voronkov. In this paper we examine the problem of homogeneous model quantitatively. We propose that oxide precipitate is the heterogeneous nucleation site. Carbon is likely to be a canidate for the heterogeneous nucleation site of the oxide precipitate.

キーワード 推奨
発行所 推奨 (日) 日本真空学会
誌名 必須 真空(日本真空学会)
(pISSN: 0559-8516, eISSN: 1880-9413)
ISSN 任意 0559-8516
ISSN: 0559-8516 (pISSN: 0559-8516, eISSN: 1880-9413)
Title: 真空
Supplier: 一般社団法人 日本真空学会
Publisher: Shinku Kyokai
 (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 45
必須 1
必須 32 35
都市 任意
年月日 必須 2002年 1月 20日
URL 任意 https://www.jstage.jst.go.jp/article/jvsj1958/45/1/45_1_32/_article/-char/ja/
DOI 任意 10.3131/jvsj.45.32    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意 10007762717
WOS 任意
Scopus 任意 2-s2.0-0036283818
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意