徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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授業概要: 2011/光デバイス1

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EID
216290
EOID
550167
Map
[2010/光デバイス1]
LastModified
2011年1月5日(水) 19:08:57
Operator
岡本 敏弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.光応用工学科]
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種別 必須 工学部•昼間 (授業概要)
入学年度 必須 西暦 2011年 (平成 23年)
名称 必須 (英) Optoelectronic Devices I / (日) 光デバイス1 / (読) ひかりでばいす
形態 不用
  1. 講義
コース 必須
  1. 2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]
担当教員 必須
  1. 岡本 敏弘([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.理工学部.理工学科.情報光システムコース.光機能材料講座])
    肩書 任意
単位 必須 2
目的 必須

(日) 半導体の光物性を理解し,LEDとLDについて,動作原理,構造,機能について理解することを目的とする.

概要 必須

(日) 半導体を特性を駆使して実現されている発光ダイオード(LED)とレーザダイオード(LD)の機能,構造,動作原理について講義を行う.これらの素子を理解するために,半導体の光物性(光に対する物理的ふるまい)についても講義を行う.特に,現在の光産業の発展を支えているレーザダイオードについて時間をかける.

キーワード 推奨
  1. 量子力学(quantum mechanics)
  2. 半導体(semiconductor)
  3. (英) PN junction / (日) PN接合 / (読) ピーエヌせつごう
  4. (英) Semiconductor Light emitting device / (日) 半導体発光素子 / (読) はんどうたいはっこうそし
先行科目 推奨
  1. 幾何光学([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/幾何光学])
    必要度 任意
  2. 波動光学([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/波動光学])
    必要度 任意
  3. 光·電子物性工学1([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/光·電子物性工学1])
    必要度 任意
  4. 光·電子物性工学2([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/光·電子物性工学2])
    必要度 任意
関連科目 推奨
  1. レーザ工学基礎論([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/レーザ工学基礎論])
    関連度 任意
  2. 光導波工学([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/光導波工学])
    関連度 任意
  3. 光デバイス2([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/光デバイス2])
    関連度 任意
  4. 半導体ナノテクノロジー基礎論([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/半導体ナノテクノロジー基礎論])
    関連度 任意
  5. 光応用工学実験1([2011/[徳島大学.工学部.光応用工学科]/[昼間コース]]/->授業概要[2010/光応用工学実験1])
    関連度 任意
要件 任意

(日) 材料物性,幾何光学,波動光学に関する基本的概念を理解していること.

注意 任意

(日) 授業の始めに前回の授業内容に関する小テストを行う.また教科書は既に読んでいるものとして講義を進めていく.したがって,授業を受ける際には,2時間の授業時間毎に2時間の予習と2時間の復習をしたうえで授業を受けることが,授業の理解と単位取得のために必要である.

目標 必須
  1. (日) 発光素子に使用される半導体の特徴が説明できること.

  2. (日) LEDとLDについて,その機能,構造,動作原理の説明ができること.

  3. (日) LEDとLDについて,利用上のポイントを説明できること.

計画 必須
  1. (日) ガイダンス,光デバイスと光エレクトロニクスデバイス

  2. (日) 光の性質,光の放射と吸収

  3. (日) 半導体の基礎

  4. (日) 半導体中の電流とPN接合ダイオード

  5. (日) ルミネッセンス

  6. (日) 混晶半導体と材料設計

  7. (日) ヘテロ接合と超格子

  8. (日) 中間試験,半導体による発光デバイスと他光源との比較

  9. (日) 発光ダイオードの原理と構造

  10. (日) 発光ダイオードの特性と作製,用途

  11. (日) レーザの原理と特徴

  12. (日) 半導体レーザの原理と構造

  13. (日) 半導体レーザの特性と用途

  14. (日) 半導体レーザの市場と作製

  15. (日) 発光素子の将来

  16. (日) 期末試験

評価 必須

(日) 積極性を含む講義への取り組み状況(16%),小テスト(24%),中間試験(30%),期末試験(30%)により評価する.総合評価の60%を合格とする.

JABEE合格 任意

(日) 単位合格と同一

JABEE関連 任意

(日) 学科の学習目標 B

対象学生 任意 他学科学生も履修可能
教科書 必須
  1. (日) 濱川,西野著,「光エレクトロニクス」,オーム社,2001年

参考資料 推奨
  1. (日) 末松安晴,上林利生共著,「光デバイス演習」,コロナ社,1986

  2. (日) レーザ技術総合研究所編,「レーザーの科学」,丸善,1997

URL 任意 http://www.opt.tokushima-u.ac.jp/std/class.html
連絡先 推奨
  1. (日) 岡本 敏弘 TEL:088-656-9412,E-mail: okamoto@opt.tokushima-u.ac.jp
    オフィスアワー 任意
科目コード 推奨
備考 任意
  1. (日) 講義内容は,量子力学,半導体の電子物性,レーザに関する講義との関連が強い.

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