徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [富永 喜久雄]/阿尾 高広/森 一郎/[日下 一也]/[英 崇夫]/Gas pressure dependence of AlN film properties in alternating sputtering system/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)]

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EID
20668
EOID
707236
Map
0
LastModified
2013年8月27日(火) 11:54:13
Operator
三木 ちひろ
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
著者 必須
  1. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Ao Takahir / (日) 阿尾 高広 / (読) あお たかひろ
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Mori Ichirou / (日) 森 一郎 / (読) もり いちろう
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Gas pressure dependence of AlN film properties in alternating sputtering system

副題 任意
要約 任意

(英) AlN films were prepared in N2 and N2/Ar gas by the alternating DC sputtering method wherein two Al targets facing each other were sputtered alternately, and the mechanism of film damage in AlN film preparation was investigated. When the gas pressure was lower than 3 mTorr, the crystalline orientation of the film inclined slightly toward the direction of incidence of depositing atoms. In this system, the influence of plasma exposure on the film properties was decreased. This was due to the decrease of electron flow into the substrate. Degradation of the c-axis orientation was ascribed to both the tilt of the growth direction of the (00·2) plane at low gas pressures and film bombardment by positive ions with energies above 60 eV.

(日) 2つの対向させたアルミニウムターゲットが交互にスパッタされる交替式DCスパッタリング法によりN2およびN2/Arガス中でAlN膜を作成し,AlNの成膜における膜損傷のメカニズムを調べた.ガス圧が3mTorrより低い場合,膜の結晶方位は堆積原子の入射方向に沿ってわずかに傾く.このシステムで膜特性に対するプラズマ露光の影響は減少した.これは基板に入る電子流が減少したためである.c軸配向性の悪化は,(00·2)面の成長方向の傾きと60eV以上のエネルギを有する正イオンによる膜衝撃の両方に帰する.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 35
必須 9B
必須 4972 4975
都市 任意
年月日 必須 1996年 9月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意