徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: 井上 直久/棚橋 克人/[森 篤史]/CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動/[日本結晶成長学会誌]

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EID
19834
EOID
758154
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0
LastModified
2014年11月27日(木) 11:28:09
Operator
森 篤史
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TRUE
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0
Owner
森 篤史
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種別 必須 総説·解説
言語 必須 日本語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 大阪府立大学
  2. 徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座
著者 必須
  1. (英) Inoue, Naohisa / (日) 井上 直久 / (読) いのうえ なおひさ
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Tanahashi Katuto / (日) 棚橋 克人 / (読) たなはし かつと
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 森 篤史
    役割 任意

    (日) 議論

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Point Defect Behavior in Growing Silicon Crystals

(日) CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動

副題 任意

(日) 応力·不純物の効果, 表面と界面, 温度勾配

要約 任意

(英) Behavior of point defects in growing silicon crystal is discussed. Local equilibrium concentration is derived and compared to reported conventional ones. Stress effects on point defects are described such as concentration change around dislocation loops, effect of thermal stress and impurity doping effects. Temperature gradient and heat balance at the solid/liquid interface is discussed in detail because of their important role in determining point defect behavior.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 日本結晶成長学会誌([日本結晶成長学会])
(pISSN: 0385-6275, eISSN: 2187-8366)
ISSN 任意 0385-6275
ISSN: 0385-6275 (pISSN: 0385-6275, eISSN: 2187-8366)
Title: 日本結晶成長学会誌
Supplier: 日本結晶成長学会
 (Webcat Plus (No Scopus information.)
必須 26
必須 5
必須 242 249
都市 任意
年月日 必須 1999年 12月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意 110002769257
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意