徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

1. 講義および演習

(英) The purpose of this lecture is to understand the background physics which governs the electrical performances of semiconductor devices.

(日) 半導体デバイスの動作の基本となる物理と，そのデバイスの電気特性との関連を理解する．

(英) The lecture gives carrier transport theory and equations based on which semiconductor electron devices including various types of transistors, high-field phenomena and short-channel effects in miniaturized transistors and deep levels which are the origin of various malfunctions in semiconductor devices.

(日) 半導体デバイス，特に各種電子デバイス，トランジスタの動作の基本となる電流輸送現象の物理，微細化トランジスタで問題となる高電界効果や短チャネル効果，デバイス動作の不良の原因となりやすい深い準位の挙動について，その物理的原理から解説する．

1. デバイス物理(device physics)
2. 半導体デバイス(semiconductor device)

1. (英) Understand the carrier transport in semiconductors based on the Boltzmann transport equation. 2. Understand the velocity saturation effects and 2-dimensional field distribution effects in miniaturized transistors. 3. Understand the electrical behavior of deep traps in semiconductors based on Shockley-Reed-Hall statistics.

   (日) 電子輸送現象をボルツマン輸送方程式を元に理解する．2. 微細トランジスタにおけるキャリア速度飽和現象，2次元電界分布効果を理解する．3. 半導体における深い準位の電気的な挙動をSRH(ショックレー・リード・ホール)統計を元に理解する．

1. (日) デバイス物理の基本方程式

2. (日) ボルツマン輸送方程式

3. (日) 電子流と熱流

4. (日) ホットキャリア効果

5. (日) 電子ガスの粘性とMOS表面電子移動度

6. (日) 短チャネル効果

7. (日) デバイス微細化の限界

8. (日) 大規模高速システムとデバイス特性

9. (日) 深い準位に対するSRH統計

10. (日) 電子トラップとホールトラップ

11. (日) サイドゲート効果

12. (日) 周波数分散

13. (日) 化合物半導体とシリコンの比較

14. (日) プロセスシミュレーション

15. (日) デバイスシミュレーション

16. (日) テスト

(英) Reports for each theme and examination

(日) テーマに対応するレポートと最終回の総合テストにより評価する．

(英) Reexamination is prepared for the students who get points of 40-59 % at the first examination. The students who have got points below 40 % should select a class in the next year.

(日) 再試験は第1回の試験で60-40点までの者に対しておこなう． 評価点の最高は79点とする． 第1回試験において，40点未満の場合は再受講とする．

1. (英) S. M. Sze, Kwok K. Ng, "Physics of Semiconductor Devices," 3rd Ed.

1. 大野 泰夫

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1. (英) This lecture will be given in English.

   (日) 国際連携大学院担当教員科目のため英語授業となる場合がある．