徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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授業概要: 2007/半導体デバイス物理特論

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EID
185825
EOID
712427
Map
[2006/無機光機能材料論]
LastModified
2013年9月19日(木) 11:35:17
Operator
三木 ちひろ
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0
Owner
[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]
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種別 必須 先端技術科学教育部 (授業概要)
入学年度 必須 西暦 2007年 (平成 19年)
名称 必須 (英) Semiconductor Device Physics / (日) 半導体デバイス物理特論 / (読) はんどうたいでばいすぶつりとくろん
形態 推奨
  1. 講義および演習
コース 必須
  1. 2009/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]
担当教員 必須
  1. 大野 泰夫
    肩書 任意
単位 必須 2
目的 必須

(英) The purpose of this lecture is to understand the background physics which governs the electrical performances of semiconductor devices.

(日) 半導体デバイスの動作の基本となる物理と，そのデバイスの電気特性との関連を理解する．
概要 必須

(英) The lecture gives carrier transport theory and equations based on which semiconductor electron devices including various types of transistors, high-field phenomena and short-channel effects in miniaturized transistors and deep levels which are the origin of various malfunctions in semiconductor devices.

(日) 半導体デバイス，特に各種電子デバイス，トランジスタの動作の基本となる電流輸送現象の物理，微細化トランジスタで問題となる高電界効果や短チャネル効果，デバイス動作の不良の原因となりやすい深い準位の挙動について，その物理的原理から解説する．
キーワード 推奨
  1. (英) Semiconductor / (日) 半導体
  2. (英) Device physics / (日) デバイス物理
  3. (英) Transistor / (日) トランジスタ
先行科目 推奨
関連科目 推奨
  1. 光半導体デバイス特論([2007/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]]/->授業概要[2006/光半導体デバイス特論])
    関連度 任意
  2. 無機光機能材料論([2009/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]]/->授業概要[2008/無機光機能材料論])
    関連度 任意
要件 任意
注意 任意
目標 必須

  1. (英) 1. Understand the carrier transport in semiconductors based on the Boltzmann transport equation. 2. Understand the velocity saturation effects and 2-dimensional field distribution effects in miniaturized transistors. 3. Understand the electrical behavior of deep traps in semiconductors based on Shockley-Reed-Hall statistics.

    (日) 1. 電子輸送現象をボルツマン輸送方程式を元に理解する．2. 微細トランジスタにおけるキャリア速度飽和現象，2次元電界分布効果を理解する．3. 半導体における深い準位の電気的な挙動をSRH(ショックレー・リード・ホール)統計を元に理解する．
計画 必須

  1. (英) Characterization of crystals

    (日) 結晶の特徴と記述法

  2. (英) Symmetry elements of crystals and material constants 1

    (日) 結晶の対象要素と物質定数 1

  3. (英) Symmetry elements of crystals and material constants 2

    (日) 結晶の対象要素と物質定数 2

  4. (英) Optical properties of crystals 1

    (日) 結晶の光学的性質 1

  5. (英) Optical properties of crystals 2

    (日) 結晶の光学的性質 2

  6. (英) Electro-optical effects and nonlinear effects 1

    (日) 電気光学効果と非線形光学効果 1

  7. (英) Electro-optical effects and nonlinear effects 2

    (日) 電気光学効果と非線形光学効果 2

  8. (英) Piezoelectricity 1

    (日) 圧電気現象 1

  9. (英) Piezoelectricity 2

    (日) 圧電気現象 2

  10. (英) Acoustic waves in crystal 1

    (日) 結晶中の音波1

  11. (英) Acoustic waves in crystal 2

    (日) 結晶中の音波2

  12. (英) Interaction of phtons and phonons in crystal

    (日) 結晶中の音と光

  13. (英) Synthesis methods of thin films 1(PVD method; electron beam evaporation, MBE, sputtering, laser ablation)

    (日) 薄膜の作製法1(特にPVD法:電子ビーム蒸着，MBE,スパッタリング，レーザアブレーション，イオン化蒸着)

  14. (英) Synthesis methods of thin films 2(PVD method; electron beam evaporation, MBE, sputtering, laser ablation)

    (日) 薄膜の作製法2(特にPVD法:電子ビーム蒸着，MBE,スパッタリング，レーザアブレーション，イオン化蒸着)

  15. (英) Film properties (Charaterizations of electrical, optical and mechanical properties)

    (日) 薄膜の諸性質(特徴，電気的光学的性質，機械的性質)

  16. (英) Exercise

    (日) テスト
評価 必須

(英) Reports for each theme and examination

(日) テーマに対応するレポートと最終回の総合テストにより評価する．
再評価 必須

(英) Reexamination is prepared for the students who get points of 40-59 % at the first examination. The students who have got points below 40 % should select a class in the next year.

(日) 再試験は第1回の試験で60-40点までの者に対しておこなう． 評価点の最高は79点とする． 第1回試験において，40点未満の場合は再受講とする．
対象学生 任意 開講コース学生のみ履修可能
教科書 必須

  1. (英) Tomoya Ogawa:Fundamentals in Crystal Engineering, Shoukabou (in Japanese) and Shunichi Gonda, Applied Handbook of Thin Film Depositions, (NTS )(in Japanese)

    (日) 小川智哉著，結晶工学の基礎，裳華房;権田俊一監修，薄膜作製応用ハンドブック，エヌ·ティー·エス
参考資料 推奨
URL 任意
連絡先 推奨
  1. 大野 泰夫
    オフィスアワー 任意
  2. 富永 喜久雄
    オフィスアワー 任意
科目コード 推奨
備考 任意

  1. (英) This lecture will be given in English.

    (日) 国際連携大学院担当教員科目のため英語授業となる場合がある．

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