授業概要: 2009/電子デバイス特論
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種別 | 必須 | 先端技術科学教育部 (授業概要) |
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入学年度 | 必須 | 西暦 2009年 (平成 21年) |
名称 | 必須 |
(英) Advanced Theory of Electron Devices / (日) 電子デバイス特論 / (読) でんしでばいすとくろん
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形態 | 推奨 | |
コース | 必須 | |
担当教員 | 必須 | |
単位 | 必須 | 2 |
目的 | 必須 |
(英) Understanding of deep levels in compound semiconductor electron device performances (日) 化合物半導体のにおける深い準位の影響を理解する |
概要 | 必須 |
(英) Semiconductor device physics for the analyses and design of semiconductor electron devices will be lectured. After teaching basic concepts of band diagram and fermi levels, carrier transport theory and device operation mechanisms will be presented. Various instable phenomena, which limit the device performance, will also be presented with theoretical backgrounds. The topics include, silicon, GaAs and GaN as semiconductor materials, and MOSFET. HEMT and HBT as electron devices. The lecture items are, 1 Band diagram, 2 Electron transport, 3 Short channel effects, 4 Impurity levels, 5 Deep traps, 6 Semi-insulating substrate, 7 HEMT, 8 Side-gating effect, 9 Drain-lag and DLTS, and 10 Surface states and breakdown. (日) VLSIデバイスや超高速電子デバイスの動作の基礎となる半導体デバイス物理について学ぶ.バンド図やフェルミ準位の概念を勉強した後,電子デバイス動作の基本となるキャリア輸送現象をはじめ,動作性能を制約する各種不安定現象の理論的な説明を行う.半導体材料としてはシリコン,GaAs,GaNを,デバイスとしてはMOSFET,HEMT,HBTなどを題材として扱う. |
キーワード | 推奨 |
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先行科目 | 推奨 | |
関連科目 | 推奨 | |
要件 | 任意 | |
注意 | 任意 | |
目標 | 必須 |
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計画 | 必須 |
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評価 | 必須 | |
再評価 | 必須 | |
対象学生 | 任意 | |
教科書 | 必須 | |
参考資料 | 推奨 | |
URL | 任意 | |
連絡先 | 推奨 | |
科目コード | 推奨 | |
備考 | 任意 |
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