授業概要: 2009/電子デバイス工学
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種別 | 必須 | 工学部•夜間主 (授業概要) | |||
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入学年度 | 必須 | 西暦 2009年 (平成 21年) | |||
名称 | 必須 |
(英) Semiconductor Device Physics / (日) 電子デバイス工学 / (読) でんしでばいすこうがく
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形態 | 不用 | ||||
コース | 必須 | ||||
担当教員 | 必須 |
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単位 | 必須 | 2 | |||
目的 | 必須 |
(日) 半導体電子デバイスの概要を紹介して理解させること. |
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概要 | 必須 |
(日) 半導体の基礎から最新の半導体デバイスまで,分かりやすく解説します.バイポーラトランジスタ,電界効果トランジスタ,MOSダイオード,MOSトランジスタなどのデバイスの構造と動作原理を講義します. |
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キーワード | 推奨 |
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先行科目 | 推奨 | ||||
関連科目 | 推奨 | ||||
要件 | 任意 | ||||
注意 | 任意 |
(日) 演習,試験には関数電卓持参のこと. |
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目標 | 必須 |
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計画 | 必須 |
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評価 | 必須 |
(日) 平常点30%と期末試験70%で評価する.平常点は授業中のクイズ,レポートの結果を総合して評価する. |
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対象学生 | 任意 | 開講コース学生のみ履修可能 | |||
教科書 | 必須 |
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参考資料 | 推奨 |
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URL | 任意 | ||||
連絡先 | 推奨 |
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科目コード | 推奨 | ||||
備考 | 任意 |
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