徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: 宇城 恭子/辻 大輔/村山 和孝/[森賀 俊広]/[富永 喜久雄]/[中林 一朗]/Structural Variation of Thin Films Deposited from Zn3In2O6 Target by rf-Sputtering/Proceedings of the fifth International Symposium on Sputtering and Plasma Process

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EID
18018
EOID
234855
Map
0
LastModified
2005年7月19日(火) 13:53:33
Operator
近江 千代子
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
森賀 俊広
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 国際会議
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Ushiro Tomoko / (日) 宇城 恭子 / (読) うしろ ともこ
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《宇城 共子 () @ 工学研究科.博士後期課程 [大学院学生] 1996年4月〜2002年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  2. (英) Tsuji Daisuke / (日) 辻 大輔 / (読) つじ だいすけ
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [個人] 辻 大輔 ([徳島大学.大学院医歯薬学研究部.薬学域.薬科学部門.統合医薬創製科学系.創薬生命工学])
    この情報が上記に掲げた個人の業績等に分類されるためには参照登録が必要です.上記に掲げた個人本人に該当する場合には参照登録に変更してください.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《辻 大輔 () @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 1998年4月〜2000年3月》
    《辻井 大輔 () @ 薬学部 [学部学生] 1996年4月〜2000年3月》
    《辻 大輔 () @ 薬学部 [学部学生] 1997年4月〜2001年3月》
    《辻 大輔 () @ 工学部 [学部学生] 1997年4月〜2001年3月》
    《辻井 大輔 () @ 薬学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 2000年4月〜2002年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  3. (英) Murayama Kazutaka / (日) 村山 和孝 / (読) むらやま かずたか
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《村山 和孝 () @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 1998年4月〜2000年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  4. 森賀 俊広([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 中林 一朗
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Structural Variation of Thin Films Deposited from Zn3In2O6 Target by rf-Sputtering

副題 任意
要約 任意

(日) Zn3In3O5セラミックターゲットをAr中でスパッタしたとき得られた膜の組成,結晶構造,電気的,光学的特性を基板温度をパラメータにして調べた.基板温度の上昇にたいして,Zn3In2O6, Zn2In2O5, In2O3の順に現れた.これらの膜のICP(Inductivelu Coupled Plasma)分析による組成比の結果は上の構造変化と対応している.Zn3In2O6 からZn2In2O5へ移行する途上の膜の抵抗率の低下があり,In2O3が現れると」急激に抵抗率が上昇した.In2O3以外の光学的バンドギャップはほぼ等しく,In2O3のそれよりも小さい.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Proceedings of the fifth International Symposium on Sputtering and Plasma Process
ISSN 任意
必須
必須
必須 213 214
都市 必須 金沢(Kanazawa/[日本国])
年月日 必須 1999年 6月 17日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意