徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

1. 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座)(〜2018年3月31日)

1. (英) Watanabe Issei

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2. (英) Shinohara Keisuke

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3. 北田 貴弘([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])

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4. (英) Shimomura Satoshi

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5. (英) Endoh Akira

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6. (英) Yamashita Yoshimi

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7. (英) Mimura Takashi

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8. (英) Hiyamizu Satoshi

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9. (英) Matsui Toshiaki

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(英) Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs on(411)A-oriented substrates by MBE

(英) We investigated the contact resistance of a non-alloyed Ti/Pt/Au ohmic electrode to obtain thermally stable sourcedrain resistance of cryogenically cooled In_0:75Ga_0:25As=In_0:52Al_0:48As high electron mobility transistors (HEMTs) fabricated on (4 1 1)A-oriented InPsubstrates by molecular beam epitaxy. A contact resistance of 0:26 Ω mm, which strongly depended on InAlAs spacer and barrier layers,was achieved at 16 K (25% below the value at 300 K) for the non-alloyed Ti/Pt/Au ohmic electrode formed on the In_0:75Ga_0:25As/In_0:52Al_0:48As HEMT structure with 3-nm-thick InAlAs spacer and 10-nm-thick InAlAs barrier layers. For a 195-nm-gate HEMT, we achieved a maximum transconductance (gm) of 2.25S/mm at 16 K (26% above the value at 300 K), which, to ourknowledge, is one of the highest values for HEMTs ever reported. This extremely high gm was attributed to not only 33% lower source-drain resistance (0:18 Ω mm at 16 K) because of thermally stable and low contact resistance but also 19% lower transit time underthe gate (0.39 ps at 16 K) because of phonon scattering suppression compared with the 300 K values.