徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

徳島大学ウェブサイトへのリンク

著作: Watanabe Issei/Shinohara Keisuke/[北田 貴弘]/Shimomura Satoshi/Endoh Akira/Yamashita Yoshimi/Mimura Takashi/Hiyamizu Satoshi/Matsui Toshiaki/Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs on(411)A-oriented substrates by MBE/[Journal of Crystal Growth]

ヘルプを読む

「著作」(著作(著書,論文,レター,国際会議など))は,研究業績にかかる著作(著書,論文,レター,国際会議など)を登録するテーブルです. (この情報が属するテーブルの詳細な定義を見る)

  • 項目名の部分にマウスカーソルを置いて少し待つと,項目の簡単な説明がツールチップ表示されます.

この情報をEDB閲覧画面で開く

EID
177863
EOID
933165
Map
0
LastModified
2018年11月29日(木) 14:11:11
Operator
加藤 真樹
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
加藤 真樹
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座)(〜2018年3月31日)
著者 必須
  1. (英) Watanabe Issei
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Shinohara Keisuke
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 北田 貴弘([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Shimomura Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Endoh Akira
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Yamashita Yoshimi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. (英) Mimura Takashi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. (英) Hiyamizu Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  9. (英) Matsui Toshiaki
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Thermal stability of Ti/Pt/Au ohmic contacts for cryogenically cooled InP-based HEMTs on(411)A-oriented substrates by MBE

副題 任意
要約 任意

(英) We investigated the contact resistance of a non-alloyed Ti/Pt/Au ohmic electrode to obtain thermally stable sourcedrain resistance of cryogenically cooled In0:75Ga0:25As=In0:52Al0:48As high electron mobility transistors (HEMTs) fabricated on (4 1 1)A-oriented InPsubstrates by molecular beam epitaxy. A contact resistance of 0:26 Ω mm, which strongly depended on InAlAs spacer and barrier layers,was achieved at 16 K (25% below the value at 300 K) for the non-alloyed Ti/Pt/Au ohmic electrode formed on the In0:75Ga0:25As/In0:52Al0:48As HEMT structure with 3-nm-thick InAlAs spacer and 10-nm-thick InAlAs barrier layers. For a 195-nm-gate HEMT, we achieved a maximum transconductance (gm) of 2.25S/mm at 16 K (26% above the value at 300 K), which, to ourknowledge, is one of the highest values for HEMTs ever reported. This extremely high gm was attributed to not only 33% lower source-drain resistance (0:18 Ω mm at 16 K) because of thermally stable and low contact resistance but also 19% lower transit time underthe gate (0.39 ps at 16 K) because of phonon scattering suppression compared with the 300 K values.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 301-302
必須 ---
必須 1025 1029
都市 任意 東京(Tokyo/[日本国])
年月日 必須 2007年 9月 初日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.056    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意 2-s2.0-33947308274
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意