徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Yamamoto M/Hamazaki Y/Tsukihara M/[直井 美貴]/[西野 克志]/[酒井 士郎]/Growth of AlN and GaN by metalorganic chemical vapor deposition on BP synthesized by flux method/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)]

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EID
173205
EOID
962547
Map
0
LastModified
2019年9月9日(月) 11:12:22
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
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継承
種別 必須 学術レター(ショートペーパー)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門.量子物質科学(2006年4月1日〜2016年3月31日)
  2. 徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門.知的材料システム(2006年4月1日〜2016年3月31日)
著者 必須
  1. (英) Yamamoto M
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Hamazaki Y
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Tsukihara M
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Growth of AlN and GaN by metalorganic chemical vapor deposition on BP synthesized by flux method

副題 任意
要約 任意

(英) BP with the size of 50 μm to 3 mm was synthesized by the Cu flux method. The BP crystals have a zincblend structure, and the lattice constant and the cathodoluminescence peak wavelength were 4.557 Å and 370 nm, respectively. GaN and AlN were grown by metalorganic chemical vapor deposition on BP. It was found that AlN grown at 1150 °C on (100)BP was grown smoothly but that grown on (111)BP had a rough surface. GaN, however, was irregularly grown on both (100) and (111)BP. It was demonstrated that AlN on (100)BP is another candidate as a substrate for a UV-light-emitting diode.

キーワード 推奨
  1. (英) AlN
  2. (英) GaN
  3. (英) MOCVD
  4. (英) BP
  5. (英) flux method
発行所 推奨 (英) INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICS / (日) Japan Society of Applied Physics
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)([応用物理学会])
ISSN 任意
必須 46
必須 14
必須 L323 L325
都市 任意
年月日 必須 2007年 5月 初日
URL 任意 http://ci.nii.ac.jp/naid/150000014248/
DOI 任意 10.1143/JJAP.46.L323    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意 210000063916
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意