徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Tsukihara M/Sumiyoshi K/Okimoto T/Kataoka K/Kawamichi S/[西野 克志]/[直井 美貴]/[酒井 士郎]/Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition/[Journal of Crystal Growth]

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EID
173203
EOID
666139
Map
0
LastModified
2012年10月17日(水) 17:00:09
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門(2006年4月1日〜)
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Tsukihara M
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Sumiyoshi K
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Okimoto T
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Kataoka K
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Kawamichi S
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition

副題 任意
要約 任意
キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 300
必須 1
必須 190 193
都市 任意
年月日 必須 2007年 3月 初日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.011    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意