徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Fareed Qhalid/鳥取 悟/[稲岡 武]/[西野 克志]/[酒井 士郎]/Dependence of growth conditions on morphology in lateral epitaxial overgrowth of GaN by sublimation method/[Journal of Crystal Growth]

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EID
16832
EOID
209858
Map
0
LastModified
2005年2月28日(月) 14:40:11
Operator
西野 克志
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
西野 克志
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Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. サテライトベンチャービジネスラボラトリ(〜2005年3月31日)
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Fareed Qhalid
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Tottori Satoru / (日) 鳥取 悟 / (読) とっとり さとる
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 稲岡 武
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) 結晶成長の指導および結果の検討

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Dependence of growth conditions on morphology in lateral epitaxial overgrowth of GaN by sublimation method

副題 任意
要約 任意

(日) 昇華法によるGaNの選択横方向成長について表面モホロジーと結晶品質の成長条件依存性を調べた.成長温度が上がるにつれて,選択的に成長したストライプの断面形状が三角形から長方形に変化する様子がSEMにより確認できた.またAFMによる観察の結果,ステップ成長により二次元成長することが示された.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 207
必須 3
必須 174 178
都市 任意
年月日 必須 1999年 12月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意