16632: Petr G. Eliseev/Sun Hong-Bo/[ヨードカシスサウリウス]/Sugahara Tomoya/[酒井士郎]/[三澤弘明]/Laser-Induced Damage Threshold and Surface Processing of GaN at 400 nm Wavelength/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)]

著作: Petr G. Eliseev/Sun Hong-Bo/[ヨードカシスサウリウス]/Sugahara Tomoya/[酒井士郎]/[三澤弘明]/Laser-Induced Damage Threshold and Surface Processing of GaN at 400 nm Wavelength/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)]

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EID: 16632
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LastModified: 2023年1月17日(火) 15:01:00
Operator: 三木ちひろ
Avail: TRUE
Censor: 承認済
Owner: [副研究部長]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部]
Read: 継承
Write: 継承
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種別

必須

学術レター(ショートペーパー)

言語

必須

招待

推奨

審査

推奨

カテゴリ

推奨

共著種別

推奨

学究種別

推奨

組織

推奨

徳島大学.工学研究科.エコシステム工学専攻.資源循環工学講座(〜2014年3月31日)
徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座(〜2023年3月31日)

著者

必須

(英) Petr G. Eliseev

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
(英) Sun Hong-Bo

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
ヨードカシスサウリウス([北海道大学])

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
(英) Sugahara Tomoya

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
酒井士郎

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨
三澤弘明([北海道大学])

役割任意

貢献度任意

学籍番号推奨

題名

必須

(英) Laser-Induced Damage Threshold and Surface Processing of GaN at 400 nm Wavelength

副題

任意

要約

任意

キーワード

推奨

発行所

推奨

誌名

必須

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)([応用物理学会])

ISSN	任意

巻

必須

号

必須

頁

必須

839 841

都市

任意

年月日

必須

1999年 7月 1日

URL

任意

http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/38/L839/

DOI

任意

10.1143/JJAP.38.L839 (→Scopusで検索)

PMID

任意

CRID

任意

WOS

任意

Scopus

任意

2-s2.0-0032655286

評価値

任意

被引用数

任意

指導教員

推奨

備考

任意

徳島大学教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

著作: Petr G. Eliseev/Sun Hong-Bo/[ヨードカシスサウリウス]/Sugahara Tomoya/[酒井士郎]/[三澤弘明]/Laser-Induced Damage Threshold and Surface Processing of GaN at 400 nm Wavelength/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)]

著作: Petr G. Eliseev/Sun Hong-Bo/[ヨードカシス サウリウス]/Sugahara Tomoya/[酒井 士郎]/[三澤 弘明]/Laser-Induced Damage Threshold and Surface Processing of GaN at 400 nm Wavelength/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)]

著作: Petr G. Eliseev/Sun Hong-Bo/[ヨードカシスサウリウス]/Sugahara Tomoya/[酒井士郎]/[三澤弘明]/Laser-Induced Damage Threshold and Surface Processing of GaN at 400 nm Wavelength/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)]