徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [北田 貴弘]/Shimomura Satoshi/Hiyamizu Satoshi/Surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs superlattices on (n11)A GaAs substrates/[Journal of Crystal Growth]

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EID
165618
EOID
933167
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0
LastModified
2018年11月29日(木) 14:24:57
Operator
加藤 真樹
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TRUE
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0
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加藤 真樹
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座)(〜2018年3月31日)
著者 必須
  1. 北田 貴弘([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Shimomura Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Hiyamizu Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs superlattices on (n11)A GaAs substrates

副題 任意
要約 任意

(英) We have investigated substrate off-angle dependence of surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy (MBE) of pseudomorphic In0:08Ga0:92As/GaAs superlattices (SLs) on (n11)A-oriented GaAs substrates (n=3-5). Surface segregation length ofthe In atoms (λ: 1/e decay length of the In content profile along the growth direction) was characterized by high resolution X-raydiffraction (HRXRD) and low-temperature (11 K) photoluminescence (PL) measurements. λ obtained for the (n11)A SLs were 1.21.4times longer than that (λ=1:57 nm) for the simultaneously grown (1 0 0) SL, and the (4 1 1)A SL showed the longest λ of 2.16 nm. Theobtained substrate off-angle dependence of the In segregation length is quite similar to the incorporation life-time (tc) of Ga adatomsreported for MBE growth of GaAs on channeled (1 0 0) substrates, indicating that larger surface migration of Ga adatoms during MBE growth on (n11)A substrates causes enhanced surface segregation of In atoms in the (n11)A InGaAs system.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 301-302
必須 ---
必須 172 176
都市 任意 (英) Tokyo
年月日 必須 2007年 9月 初日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.170    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意