徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [日下 一也]/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/Effect of Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Deposited by Planar Magnetron Sputtering System/Proceedings of the First International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application

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EID
16456
EOID
350963
Map
0
LastModified
2007年8月1日(水) 12:25:55
Operator
日下 一也
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 国際会議
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Deposited by Planar Magnetron Sputtering System

副題 任意
要約 任意

(日) 本論文は,BLCガラス基板上に蒸着したAlN膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法を用いて調査したものである.蒸着方法としては,通常のプレーナマグネトロンスパッタリング法と2枚のターゲットを用いた方法を使用した.本実験では,窒素ガス圧をパラメータとした.通常の方法を用いた場合,窒素ガス圧が1Pa以下のときに良好なc軸配向性を得た.通常の方法では,残留応力はガス圧が2MPa以下の場合,圧縮であり,2MPaを超えると引張であった.それに対して,2枚のターゲットを用いた方法では,0.8MPa以下の場合に引張であり,0.8MPaを超えると圧縮になった.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Proceedings of the First International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application
ISSN 任意
必須
必須
必須 310 315
都市 必須 オークランド(Auckland/[ニュージーランド])
年月日 必須 1997年 7月 14日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意