徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [日下 一也]/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/阿尾 高広/Effect of Partial Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Prepared by Sputtering System/Proceedings of the Fifth International Conference on Residual Stresses

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EID
16452
EOID
350962
Map
0
LastModified
2007年8月1日(水) 12:25:31
Operator
日下 一也
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 国際会議
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Ao Takahiro / (日) 阿尾 高広 / (読) あお たかひろ
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of Partial Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Prepared by Sputtering System

副題 任意
要約 任意

(日) 本論文は,BLCガラス上に蒸着したAlN薄膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により調査したものである.膜の作製には2枚のターゲットによるプレーンナマグネトロンスパッタリング法を用い,成膜条件としてはガス圧,基板温度を一定とし,窒素分圧をパラメータとした.窒素分圧が70%以上のときAlN膜はc軸配向となり,窒素分圧が低くなると共に配向特性が悪化した.残留応力は窒素分圧が高いとき圧縮であり,低いときは引張になった.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Proceedings of the Fifth International Conference on Residual Stresses
ISSN 任意
必須
必須
必須 1048 1053
都市 必須 (英) Linkoeping, Sweden
年月日 必須 1997年 6月 16日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意